Компания Micron начала поставки микросхем флэш-памяти 3D NAND с 176-слойной структурой
Компания Micron Technology сообщила о начале поставок первых в мире серийно выпускаемых микросхем флэш-памяти типа 3D NAND с 176-слойной структурой. Эти компоненты разработаны для твердотельных накопителей, предназначенных для оснащения центров обработки данных, а также использования в периферийных и мобильных устройствах.
Как утверждает производитель, применение передовой архитектуры позволило не только значительно повысить удельную плотность хранения данных, но и увеличить производительность. Это уже пятое поколение флэш-памяти типа 3D NAND и второе на базе архитектуры RG (replacement-gate).
По сравнению с предыдущим поколением микросхем флэш-памяти типа 3D NAND производства Micron в новых изделиях удалось сократить задержки при выполнении операций чтения и записи более чем на 35%. Кроме того, на треть увеличена скорость передачи данных.
Важным достоинством 176-слойной структуры является компактность, что позволяет увеличить удельную плотность хранимых данных. Это особенно важно при создании накопителей малых формфакторов.
В настоящее время микросхемы флэш-памяти типа 3D NAND с 176-слойной структурой производства Micron уже применяются в твердотельных накопителях Crucial.
