Western Digital и Kioxia представили технологию производства микросхем флэш-памяти поколения BiCS 6
В ходе международной конференции ISSCC компании Western Digital и Kioxia (ранее известная как Toshiba Memory Solutions) сообщила о создании технологии производства микросхем флэш-памяти 3D NAND с 162-слойной структурой поколения BiCS 6.
Одним из главных преимуществ новой технологии является увеличения удельной плотности размещения ячеек в кристалле. По оценкам специалистов, благодаря этому удастся существенно (почти в 2,4 раза) улучшить показатели производительности микросхем флэш-памяти, а также снизить удельную стоимость хранимых данных.
Информации о том, когда создатели новой технологии планируют приступить к серийному выпуску микросхем флэш-памяти поколения BiCS 6, пока нет.
