Samsung начала массовое производство 8-го поколения микросхем V-NAND
Samsung, один из крупнейших производителей микросхем памяти NAND, объявил сегодня о начале массового производства микросхем V-NAND на основе трехуровневой ячейки TLC восьмого поколения. Новая память будет производиться объемом 1 Тбит или 128 Гбайт.
По заявлению компании, её новая память получила самую высокую плотность битов в отрасли, однако никаких конкретных цифр предпочитает не озвучивать. Также микросхемы V-NAND восьмого поколения обеспечивают скорость ввода-вывода до 2400 MT/s, что позволяет создавать скоростные твердотельные накопители с PCI Express 5.0 и скоростью работы свыше 12 Гбайт/с.
«Поскольку рыночный спрос на более плотные и емкие хранилища подталкивает к увеличению количества слоев V-NAND, Samsung внедрила свою передовую технологию трехмерного масштабирования, чтобы уменьшить площадь поверхности и высоту, избегая при этом помех между ячейками, которые обычно возникают при уменьшении масштаба.
Наша память V-NAND восьмого поколения поможет удовлетворить растущий рыночный спрос и улучшит наши позиции для предоставления более дифференцированных продуктов и решений, которые станут основой будущих инноваций в области хранения данных», – СунгХой Хур (SungHoi Hur), исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям флэш-памяти Samsung.
